IXTP05N100M

IXYS
747-IXTP05N100M
IXTP05N100M

Fab. :

Description :
MOSFET 0.5 Amps 1000V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 300

Stock:
300 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,35 € 4,35 €
2,27 € 22,70 €
2,06 € 206,00 €
1,94 € 970,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
700 mA
15 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
7.8 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 28 ns
Transconductance directe - min.: 0.55 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 19 ns
Série: IXTP05N100
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 40 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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