IXTP05N100

Name: IXYS IXTP05N100
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP05N100
Price: 3.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTP05N100

N° de fab. :

IXTP05N100

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Fiche technique:

IXTP05N100 Fiche technique

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	750 mA
Rds On - Résistance drain-source:	17 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	7.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	28 ns
Transconductance directe - min.:	0.55 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Série:	IXTP05N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Poids de l''unité:	2 g

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IXTP05N100 Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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IXTP05N100

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