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IXTK400N15X4

Name: IXYS IXTK400N15X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTK400N15X4
Price: 49.86 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTK400N15X4

N° de fab. :

IXTK400N15X4

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS

Fiche technique:

IXTK400N15X4 Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	400 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	430 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	100 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	X4-Class
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	180 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Poids de l''unité:	10 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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