IXTK210P10T

Name: IXYS IXTK210P10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTK210P10T
Price: 26.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTK210P10T

N° de fab. :

IXTK210P10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TrenchP Power MOSFET

Fiche technique:

IXTK210P10T Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	210 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	740 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.04 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchP
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	55 ns
Transconductance directe - min.:	90 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	98 ns
Série:	IXTK210P10
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	165 ns
Délai d'activation standard:	90 ns
Poids de l''unité:	10 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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IXTK210P10T

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