IXTH6N150

IXYS
747-IXTH6N150
IXTH6N150

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
32 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
11,54 € 11,54 €
7,01 € 70,10 €
6,05 € 726,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
6 A
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
5 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 38 ns
Transconductance directe - min.: 6.5 mS
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 20 ns
Série: IXTH6N150
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 50 ns
Délai d'activation standard: 22 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

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