IXTH4N150

IXYS
747-IXTH4N150
IXTH4N150

Fab. :

Description :
MOSFET High Voltage Power MOSFET

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 240

Stock:
240 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
49 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
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Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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9,02 € 9,02 €
6,49 € 64,90 €
5,17 € 620,40 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
6 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
44.5 nC
- 55 C
+ 150 C
280 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Type de produit: MOSFETs
Série: IXTH4N150
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


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