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IXTH160N10T

Name: IXYS IXTH160N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH160N10T
Price: 7.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH160N10T

N° de fab. :

IXTH160N10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

Fiche technique:

IXTH160N10T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

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	7,03 €	7,03 €
	4,10 €	41,00 €
	3,68 €	441,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	160 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	132 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	430 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	42 ns
Transconductance directe - min.:	65 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	61 ns
Série:	IXTH160N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	49 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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