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IXTA90N075T2

Name: IXYS IXTA90N075T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA90N075T2
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTA90N075T2

N° de fab. :

IXTA90N075T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds

Fiche technique:

IXTA90N075T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,78 €	3,78 €
	1,95 €	19,50 €
	1,72 €	172,00 €
	1,60 €	800,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	75 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	54 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	28 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	IXTA90N075
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

IXTA90N075T2 Fiche technique

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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