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IXFT36N60P

Name: IXYS IXFT36N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT36N60P
Price: 7.83 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFT36N60P

N° de fab. :

IXFT36N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 600V 36A

Fiche technique:

IXFT36N60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	190 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	102 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	650 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	25 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IXFT36N60
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

IXFT36N60P Fiche technique

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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