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IXFT24N90P

Name: IXYS IXFT24N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT24N90P
Price: 15.54 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFT24N90P

N° de fab. :

IXFT24N90P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Fiche technique:

IXFT24N90P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	15,54 €	15,54 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	420 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6.5 V
Qg - Charge de grille:	130 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	660 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	38 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	IXFT24N90
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	68 ns
Délai d'activation standard:	46 ns
Poids de l''unité:	4,500 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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