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IXFQ94N30P3

Name: IXYS IXFQ94N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFQ94N30P3
Price: 11.34 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFQ94N30P3

N° de fab. :

IXFQ94N30P3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Fiche technique:

IXFQ94N30P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	11,34 €	11,34 €
	6,87 €	68,70 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	94 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	102 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.04 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXFQ94N30
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

IXFQ94N30P3 Fiche technique

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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