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IXFN56N90P

Name: IXYS IXFN56N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN56N90P
Price: 51.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN56N90P

N° de fab. :

IXFN56N90P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A

Fiche technique:

IXFN56N90P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	56 A
Rds On - Résistance drain-source:	135 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 kW
Série:	IXFN56N90
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	38 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	80 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	93 ns
Délai d'activation standard:	74 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN56N90P Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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