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IXFN52N90P

Name: IXYS IXFN52N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN52N90P
Price: 35.63 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN52N90P

N° de fab. :

IXFN52N90P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Fiche technique:

IXFN52N90P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	43 A
Rds On - Résistance drain-source:	160 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Série:	IXFN52N90
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	42 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	80 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	Polar Power MOSFET
Délai de désactivation type:	95 ns
Délai d'activation standard:	63 ns
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

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USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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