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IXFN36N100

Name: IXYS IXFN36N100
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN36N100
Price: 56.28 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN36N100

N° de fab. :

IXFN36N100

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 1KV 36A

Fiche technique:

IXFN36N100 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	240 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	700 W
Série:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	30 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	55 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HyperFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	41 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN36N100 Fiche technique

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CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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