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IXFN240N15T2

Name: IXYS IXFN240N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN240N15T2
Price: 29.75 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN240N15T2

N° de fab. :

IXFN240N15T2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Fiche technique:

IXFN240N15T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	240 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	830 W
Série:	IXFN240N15
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	145 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	125 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	GigaMOS Trench T2 HiperFet
Délai de désactivation type:	77 ns
Délai d'activation standard:	48 ns
Vr - Tension inverse:	75 V
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN240N15T2 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.