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IXFN150N65X2

Name: IXYS IXFN150N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN150N65X2
Price: 50.68 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN150N65X2

N° de fab. :

IXFN150N65X2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 650V/145A Ultra Junction X2-Class

Fiche technique:

IXFN150N65X2 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	145 A
Rds On - Résistance drain-source:	17 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.04 mW
Série:	650V Ultra Junction X2
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	13 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	55 ns
Vr - Tension inverse:	100 V
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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