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IXFK52N60Q2

Name: IXYS IXFK52N60Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK52N60Q2
Price: 22.34 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFK52N60Q2

N° de fab. :

IXFK52N60Q2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFK52N60Q2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	22,34 €	22,34 €
	18,28 €	182,80 €
	16,14 €	1.614,00 €
10.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	52 A
Rds On - Résistance drain-source:	115 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	735 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	8.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Série:	IXFK52N60
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	10 g