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IXFK48N60P

Name: IXYS IXFK48N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK48N60P
Price: 11.6 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFK48N60P

N° de fab. :

IXFK48N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 600V 48A

Fiche technique:

IXFK48N60P Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	48 A
Rds On - Résistance drain-source:	135 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	830 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	53 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IXFK48N60
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Poids de l''unité:	10 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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