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IXFK250N10P

Name: IXYS IXFK250N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK250N10P
Price: 21.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFK250N10P

N° de fab. :

IXFK250N10P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET

Fiche technique:

IXFK250N10P Fiche technique

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Fab. :

IXYS

N° de fab. :

IXFK420N10T

Description :

MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	250 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	205 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	50 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	IXFK250N10
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	10 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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