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IXFK170N10

Name: IXYS IXFK170N10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK170N10
Price: 13.75 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFK170N10

N° de fab. :

IXFK170N10

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 170 Amps 100V

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFK170N10 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	170 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	560 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	79 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	90 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	158 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Poids de l''unité:	10 g