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IXFK120N30P3

Name: IXYS IXFK120N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK120N30P3
Price: 16.26 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFK120N30P3

N° de fab. :

IXFK120N30P3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Fiche technique:

IXFK120N30P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.13 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXFK120N30
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	10 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

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