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IXFH6N100

Name: IXYS IXFH6N100
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH6N100
Price: 10.01 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFH6N100

N° de fab. :

IXFH6N100

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 1KV 6A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFH6N100 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	10,01 €	10,01 €
	8,15 €	81,50 €
	6,79 €	814,80 €
	6,05 €	3.085,50 €
	5,15 €	5.253,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	88 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	60 ns
Transconductance directe - min.:	6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	6 g