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IXFH18N65X2

Name: IXYS IXFH18N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH18N65X2
Price: 3.59 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFH18N65X2

N° de fab. :

IXFH18N65X2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 650V/18A TO-247

Fiche technique:

IXFH18N65X2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	200 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	290 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	650V Ultra Junction X2
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	6 g

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IXFH18N65X2 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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