IXFH10N100

IXYS
747-IXFH10N100
IXFH10N100

Fab. :

Description :
MOSFET 1KV 10A

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
13,24 € 13,24 €
10,24 € 102,40 €
8,85 € 1.062,00 €
25.020 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
10 A
1.2 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 32 ns
Transconductance directe - min.: 10 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 33 ns
Série: HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 62 ns
Délai d'activation standard: 21 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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