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IXFB60N80P

Name: IXYS IXFB60N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB60N80P
Price: 25.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFB60N80P

N° de fab. :

IXFB60N80P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds

Fiche technique:

IXFB60N80P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PLUS-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	140 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	250 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	35 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	29 ns
Série:	IXFB60N80
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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