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IXFB100N50P

Name: IXYS IXFB100N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB100N50P
Price: 27.15 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFB100N50P

N° de fab. :

IXFB100N50P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

Fiche technique:

IXFB100N50P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PLUS-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	49 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	240 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	50 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	29 ns
Série:	IXFB100N50
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

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