GS816218DB-200M

GSI Technology
464-GS816218DB-200M
GS816218DB-200M

Fab. :

Description :
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

Modèle de ECAO:
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GSI Technology
Catégorie du produit: SRAM
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18 Mbit
1 M x 18
6.5 ns
200 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
240 mA, 245 mA
- 55 C
+ 125 C
SMD/SMT
BGA-119
Tray
Marque: GSI Technology
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: Not Available
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: GS816218DB
Nombre de pièces de l'usine: 21
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Nom commercial: SyncBurst
Type: Pipeline/Flow Through
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A001.a.2.c

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.