EPC8009

EPC
65-EPC8009
EPC8009

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 2.500

Stock:
2.500 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,96 € 3,96 €
2,62 € 26,20 €
1,86 € 186,00 €
1,73 € 865,00 €
1,63 € 1.630,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
1,47 € 3.675,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-6
N-Channel
1 Channel
65 V
4 A
130 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
370 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 3,100 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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