EPC2070

EPC
65-EPC2070
EPC2070

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 4.079

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,51 € 1,51 €
0,963 € 9,63 €
0,642 € 64,20 €
0,507 € 253,50 €
0,464 € 464,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,416 € 1.040,00 €
0,391 € 1.955,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-6
N-Channel
1 Channel
100 V
1.7 A
23 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1.9 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 1,500 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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