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DIT090N06

Name: Diotec Semiconductor DIT090N06
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIT090N06
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-DIT090N06

N° de fab. :

DIT090N06

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

MOSFET MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N

Fiche technique:

DIT090N06 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,83 €	1,83 €
	0,92 €	9,20 €
	0,82 €	82,00 €
	0,648 €	324,00 €
	0,456 €	456,00 €
	0,45 €	2.250,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	65 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.9 V
Qg - Charge de grille:	94 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DIT090N06
Conditionnement:	Tube
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	50 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	DIT0/1
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	Power MOSFET
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	2,820 g

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Fiche technique

DIT090N06 Fiche technique (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.