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DMHC3025LSDQ-13

Name: Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMHC3025LSDQ-13
Price: 1.22 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMHC3025LSDQ-13

N° de fab. :

DMHC3025LSDQ-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

Fiche technique:

DMHC3025LSDQ-13 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,22 €	1,22 €
	0,772 €	7,72 €
	0,513 €	51,30 €
	0,402 €	201,00 €
	0,366 €	366,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,323 €	807,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A, 4.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	11.7 nC, 11.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Quad
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8.7 ns, 13.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns, 4.9 ns
Série:	DMHC3025
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Délai de désactivation type:	17.5 ns, 28.2 ns
Délai d'activation standard:	11.2 ns, 7.5 ns
Poids de l''unité:	74 mg

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Fiche technique

DMHC3025LSDQ-13 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-27 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.