CE3512K2

CEL
551-CE3512K2
CE3512K2

Fab. :

Description :
Transistors JFET RF 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,86 € 1,86 €
1,25 € 12,50 €
1,02 € 102,00 €
0,894 € 447,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
1,44 €
Min.:
1

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Transistors JFET RF 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
CEL
Catégorie du produit: Transistors JFET RF
RoHS:  
pHEMT
GaAs
12 GHz
13.7 dB
4 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
MICRO-X-4
Bulk
Marque: CEL
Configuration: Single
Transconductance directe - min.: 54 mS
Tension gâchette-cathode de coupure: - 750 mV
NF : facteur de bruit: 0.3 dB
Type de produit: RF JFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 16,473 mg
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.