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AS3004204-0108X0PWAY

Name: Avalanche Technology AS3004204-0108X0PWAY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-30042040108X0PWY
Price: 13.71 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

793-30042040108X0PWY

N° de fab. :

AS3004204-0108X0PWAY

Fab. :

Avalanche Technology

Description :

MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C

Fiche technique:

AS3004204-0108X0PWAY Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Avalanche Technology
Catégorie du produit:	MRAM
RoHS:
Package/Boîte:	WSON-8
Type d'interface:	QSPI
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Largeur du bus de données:	8 bit
Temps d'accès:	10 ns
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	23 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 105 C
Série:	AS3004204
Conditionnement:	Tray
Marque:	Avalanche Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	MRAM
Nombre de pièces de l'usine:	455
Nom commercial:	STT-MRAM, MRAM

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Fiche technique

AS3004204-0108X0PWAY Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.