ADL8122ACPZN

Analog Devices
584-ADL8122ACPZN
ADL8122ACPZN

Fab. :

Description :
Amplificateur RF 0.01 to 10 GHz PA

Cycle de vie:
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Analog Devices Inc.
Catégorie du produit: Amplificateur RF
RoHS:  
10 kHz to 10 GHz
3 V to 6 V
95 mA
16 dB
1.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
LFCSP-8
Si
20.5 dBm
35 dBm
- 55 C
+ 125 C
ADL8122
Cut Tape
Marque: Analog Devices
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: TW
Pays d'origine: KR
Kit de développement: ADL8122-EVALZ
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée: 14.5 dB
Nombre de canaux: 1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie : 1.23 W
Type de produit: RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test: 10 kHz to 2 GHz
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

Amplificateur à faible bruit (LNA) et à large bande ADL8122

L'amplificateur à faible bruit (LNA) et à large bande ADL8122 d'Analog Devices fonctionne de 10 kHz à 10 GHz. Les valeurs typiques de gain et de bruit sont respectivement de 17 dB et 2 dB, de 2 GHz à 6 GHz. La puissance de sortie pour la compression de 1 dB (OP1dB), l'interception de troisième ordre en sortie (OIP3) et l'interception de deuxième ordre en sortie (OIP2) sont respectivement de 20 dBm, 33,5 dBm et 37 dBm, de 2 GHz à 6 GHz. Le courant de repos nominal (IDQ), qui peut être ajusté, est de 95 mA à partir d'une tension d'alimentation de 5 V (VDD). Les broches d'entrée et de sortie RF couplées en courant continu et appariées en interne nécessitent des condensateurs de couplage CA externes et une inductance de polarisation sur RFOUT. De plus, l'entrée RF est polarisée via une inductance externe connectée entre la broche VBIAS et la broche RFIN.