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ADL8120ACPZN-R7

Name: Analog Devices Inc. ADL8120ACPZN-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADL8120ACPZN-R7
Price: 146.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

584-ADL8120ACPZN-R7

N° de fab. :

ADL8120ACPZN-R7

Fab. :

Analog Devices

Description :

Amplificateur RF 30 kHz to 20 GHz LNA

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

ADL8120ACPZN-R7 Fiche technique

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Fabricant:	Analog Devices Inc.
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	30 kHz to 20 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	3.3 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	55 mA
Gain:	15 dB
NF : facteur de bruit:	2.3 dB
Type:	Low Noise Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFCSP-8
Technologie:	Si
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre:	26.5 dBm
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	ADL8120
Conditionnement:	Reel
Marque:	Analog Devices
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	8 dB
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	900 mW
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test:	14 GHz to 20 GHz

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Fiche technique

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TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

Amplificateur à faible bruit ADL8120 de 30 kHz à 20 GHz

L'amplificateur à faible bruit ADL8120 de 30 kHz à 20 GHz d'Analog Devices Inc. offre un gain standard de 14 dB et un facteur de bruit de 1,9 dB de 30 kHz à 14 GHz. L'ADL8120 d'Analog Devices Inc. présente des performances incluant une puissance de sortie de 16 dBm au point de compression 1 dB (OP1dB), un point d'interception de troisième ordre (OIP3) de 29,5 dBm et un point d'interception de deuxième ordre (OIP2) de 33 dBm dans la même gamme de fréquences. L’amplificateur fonctionne avec un courant de repos nominal réglable (I_DQ) de 55 mA à partir d’une alimentation de 3,3 V (V_DD). L’entrée et la sortie RF à couplage continu sont couplées en interne, mais nécessitent des condensateurs de couplage CA externes et une inductance de polarisation sur RF_OUT. L’entrée RF est également polarisée via une inductance externe reliant la broche V_BIAS à la broche RF_IN.