AS6C6416-55BINTR

Alliance Memory
913-AS6C6416-55BINTR
AS6C6416-55BINTR

Fab. :

Description :
SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 2000   Multiples : 2000
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Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tray
Disponibilité:
En stock
Prix:
38,97 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
64 Mbit
4 M x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
FBGA-48
Reel
Marque: Alliance Memory
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: AS6C6416-55
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.