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AS4C8M16MSA-6BINTR

Name: Alliance Memory AS4C8M16MSA-6BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16MSA6BINT
Price: 4.79 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

913-AS4C8M16MSA6BINT

N° de fab. :

AS4C8M16MSA-6BINTR

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Fiche technique:

AS4C8M16MSA-6BINTR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

AS4C8M16MSA-6BIN

Conditionnement:

Tray

Disponibilité:

En stock

Prix:

7,51 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM Mobile
Taille de la mémoire:	128 Mbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	166 MHz
Package/Boîte:	FBGA-54
Organisation:	8 M x 16
Temps d'accès:	5.5 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.95 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	AS4C8M16MSA-6
Conditionnement:	Reel
Marque:	Alliance Memory
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	50 mA

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Fiche technique

AS4C8M16MSA-6BINTR Fiche technique (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.