AS4C64M4SA-7TCNTR

Alliance Memory
913-AS4C64M4SA7TCNT
AS4C64M4SA-7TCNTR

Fab. :

Description :
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

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Délai usine :
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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tray
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3,70 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
4 bit
143 MHz
TSOP-II-54
64 M x 4
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C64M4SA
Reel
Marque: Alliance Memory
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 55 mA
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Attributs sélectionnés: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.