AS4C64M16D3B-12BAN

Alliance Memory
913-A4C64M16D3B12BAN
AS4C64M16D3B-12BAN

Fab. :

Description :
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Sur commande:
181
15/04/2026 attendu
Délai usine :
8
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
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9,18 € 229,50 €
8,97 € 448,50 €
8,55 € 855,00 €
8,15 € 1.548,50 €
8,01 € 4.565,70 €
7,91 € 9.017,40 €
2.660 Devis

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Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 105 C
AS4C64M16D3B
Tray
Marque: Alliance Memory
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 190
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 87 mA
Poids de l''unité: 3,698 g
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.