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AS4C256M16D3LC-12BIN

Name: Alliance Memory AS4C256M16D3LC-12BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-256M16D3LC-12BIN
Price: 14.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

913-256M16D3LC-12BIN

N° de fab. :

AS4C256M16D3LC-12BIN

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Industrial Temp - Tray

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

AS4C256M16D3LC-12BIN Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,47 €	14,47 €
	13,43 €	134,30 €
	13,01 €	325,25 €
	12,70 €	635,00 €
	12,06 €	1.206,00 €
	12,05 €	2.518,45 €
	11,86 €	4.957,48 €
1.045	Devis

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

AS4C256M16D3LC-12BINTR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

11,73 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire:	4 Gbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	800 MHz
Package/Boîte:	FBGA-96
Organisation:	256 M x 16
Temps d'accès:	20 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.283 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.45 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 95 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Alliance Memory
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	209
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	81 mA

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Fiche technique

AS4C256M16D3LC-12BIN Fiche technique (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.