AS4C16M16SB-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C16M16SB-7TCN
AS4C16M16SB-7TCN

Fab. :

Description :
DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray

Modèle de ECAO:
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En stock: 1.498

Stock:
1.498 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
4 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,98 € 4,98 €
4,64 € 46,40 €
4,51 € 112,75 €
4,44 € 222,00 €
4,33 € 467,64 €
4,19 € 905,04 €
4,09 € 2.208,60 €
3,98 € 4.298,40 €
3,93 € 10.186,56 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape
Disponibilité:
En stock
Prix:
4,10 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
16 bit
143 MHz
TSOP-II-54
16 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
Tray
Marque: Alliance Memory
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 108
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 55 mA
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.