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ALD1121ESAL

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N° Mouser :

Non assigné

N° de fab. :

ALD1121ESAL

Fab. :

Advanced Linear Devices

Description :

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

ALD1121ESAL Fiche technique (PDF)

Disponibilité

Stock:: Indisponible

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Advanced Linear Devices
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	10 V
Id - Courant continu de fuite:	3 mA
Rds On - Résistance drain-source:	500 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Pd - Dissipation d’énergie :	600 mW
Mode canal:	Depletion
Marque:	Advanced Linear Devices
Configuration:	Dual
Type de produit:	MOSFETs
Série:	ALD1121ES
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Poids de l''unité:	74 mg