726-IPD50N08S4-13 MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 75/80V 2.347En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 75/80V 8.135En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel