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FGA6560WDF

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N° Mouser :

512-FGA6560WDF

N° de fab. :

FGA6560WDF

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

FGA6560WDF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3PN
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.8 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	120 A
Pd - Dissipation d’énergie :	306 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGA6560WDF
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	120 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,401 g

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Fiche technique

FGA6560WDF Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGA6560WDF 650V 60A Field Stop Trench IGBT

ON Semiconductor FGA6560 650V 60A Field Stop Trench IGBT uses novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. The FGA6560 IGBTs offer the optimum performance for welder applications that require low conduction and switching losses.