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ROHM Semiconductor IGBT AEC-Q101 RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR

IGBT à tranchée et arrêt de champ AEC-Q101 RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR de ROHM Semiconductor sont des transistors bipolaires à grille isolée 10 µs SCSOA (zone de fonctionnement de sécurité contre les courts-circuits), adaptés à une utilisation générale du convertisseur dans les applications automobiles et industrielles. Les RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR offrent une faible perte de conduction qui contribue à réduire la taille et à améliorer le rendement. Ces composants utilisent les technologies de grille en tranchée et de couche mince d'origine. Ces technologies aident à atteindre une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) avec des pertes de commutation réduites. Ces IGBT fournissent des économies d'énergie accrues dans une variété d'applications à courant élevé et haute tension.

Les IGBT RGS30TSX2DHR ET RGS30TSX2HR de ROHM Semiconductor sont proposés en boîtier TO-247N et sont homologués AEC-Q101 pour une utilisation dans les applications automobiles. Le RGS30TSX2DHR dispose également d'une diode à récupération rapide (FRD) intégrée.

Caractéristiques

  • Homologué AEC-Q101
  • Temps de tenue aux courts-circuits de 10 μs
  • Diode à récupération rapide et progressive FRD intégrée (RGS30TSX2DHR uniquement)
  • Tension collecteur-émetteur (VCES) 1 200 V
  • Tension grille-émetteur (VGE) ±30 V
  • Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) : 1,7 V
  • Courant collecteur (IC) : 15 A
  • Tension de seuil grille-émetteur (VGE(th)) : 7 V
  • Dissipation d'énergie (PD) : 267 W
  • Plage de température de jonction de fonctionnement : de -40 °C à +175 °C
  • Boîtier TO-247N
  • Sans plomb et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Convertisseur général pour utilisation automobile et industrielle

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Agencement des broches

Schéma - ROHM Semiconductor IGBT AEC-Q101 RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR
Publié le: 2021-03-17 | Mis à jour le: 2022-03-11