Transistors de puissance RF au GaN Airfast A5Gx

Les transistors GaN de puissance RF NXP Semiconductors  A5Gx Airfast sont des transistors GaN de puissance RF Doherty asymétriques 85 W et 112 W. Les transistors  A5Gx NXP Semiconductors sont idéaux pour les stations de base cellulaires nécessitant une large bande passante. La performance des dispositifs est garantie dans la plage de fréquence spécifiée pour chaque composant, mais pas en dehors de celle-ci.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vds - Tension de rupture drain-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.

NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Fiche technique
90En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
158En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
45En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250



NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
48En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
22En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C