Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SCTW100N65G2AG

Name: STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW100N65G2AG
Price: 29.66 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SCTW100N65G2AG

N° de fab. :

SCTW100N65G2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Complétez votre conception

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

SCTW100N65G2AG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics SCTW100N65G2AG

En stock: 317

Stock:: 317 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 317 seront soumises à des commandes minimales.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	29,66 €	29,66 €
	22,12 €	221,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	69 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	162 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	420 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	SCTW100N65G2AG
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	4,500 g